HBM:AI 算力催生的 “刚需缺口”:生成式 AI 大模型对显存带宽的需求较传统 GPU 提升 10 倍,SK 海力士测算 2025 年 HBM 市场规模将达 240 亿美元,同比增长 150%。但 HBM 需采用 3D 封装与先进制程,全球仅台积电、三星具备量产能力。台积电 2025Q3 财报显示,其 3nm 制程中 HBM 相关产能占比已从 Q1 的 12% 提升至 28%,但仍无法满足英伟达 H200 与 AMD MI300 的订单需求,交货周期已延长至 8 个月。
NAND 闪存:技术迭代与产能收缩共振:长江存储 234L NAND 实现量产后,300L 及以上先进制程受美设备出口限制推进受阻,而三星、美光同步缩减 2025 年资本支出,导致全球 NAND 产能增速从 15% 降至 8%。中芯国际 28nm NAND 代工产能利用率已达 92.5%,较去年同期提升 18 个百分点,且计划通过收购中芯北方股权进一步扩产。
DRAM:消费电子复苏叠加汽车增量:PC 与智能手机出货量同比回暖带动基础 DRAM 需求增长 12%,而新能源汽车单车 DRAM 用量达传统燃油车的 5 倍。力积电新通霄 Fab 产能释放后,其 DRAM 代工业务营收占比从 15% 升至 27%,但全球成熟制程代工产能缺口仍达 15%。
台积电:高端产能优先,绑定核心客户:2025 年资本支出超 400 亿美元,其中 20% 专项用于 HBM 相关的先进制程与封装产能,亚利桑那 Fab1 将在 2025 年底新增 10 万片 / 月 4nm 产能,优先供应 SK 海力士的 HBM2E 代工订单。其财报显示,存储器代工业务毛利率达 68%,较逻辑芯片高 12 个百分点,成为第二增长曲线。
三星:收缩通用产能,聚焦技术壁垒:2025 年资本支出同比缩减 15%,但龙仁园区 5 座逻辑 Fab 建设计划不变,重点推进 3nm GAA 工艺在 HBM 中的应用,目标 2026 年 HBM 代工市占率从当前的 25% 提升至 40%。同时暂停 28nm 成熟制程扩产,将资源向高毛利的存储器代工倾斜。
中芯国际:本土化替代加速,填补成熟缺口:2025 年资本支出达 70 亿美元,重点扩产 28nm 及以上成熟制程,其中存储器代工产能占比将从 18% 提升至 25%。通过向国内厂商交付 7/5nm 工艺规避美限制,其与长江存储的 234L NAND 代工合作已实现营收同比增长 220%。
联电与格芯:谨慎扩产,规避周期风险:联电将新加坡 Fab 量产时间推迟至 2026 年,2025 年资本支出压缩至 18 亿美元;格芯暂停与 ST 的合作项目,仅保留德累斯顿 Fab 的 28nm FDSOI 产能翻倍计划,对存储器代工采取 “按需接单” 策略。
核心层(直接配套大厂产能):仅 4 家标的符合标准,包括为台积电 HBM 代工提供靶材的江丰电子(供应占比 35%)、中芯国际 NAND 代工的光刻胶供应商南大光电(市占率 28%)、长电科技(承接中芯国际 80% 存储器封测订单)、兆易创新(与中芯国际合作开发 28nm NOR Flash);
受益层(核心材料 / 设备供应商):6 家标的入围,如提供存储器晶圆切割设备的大族激光(台积电供应商)、生产 HBM 封装基板的深南电路(三星合作方);
沾边层(业务占比低或无实质合作):10 余家标的被排除,如某半导体设备公司虽宣称涉及存储器领域,但相关业务营收占比不足 2%,且未进入任何大厂供应链。
核心仓位(60%):长电科技(35%)+ 江丰电子(25%),逻辑是 “长电的订单确定性 + 江丰的技术弹性”,二者均符合四维研判的 “全优标准”;
卫星仓位(30%):南大光电(15%,材料受益)+ 深南电路(15%,封装基板弹性),作为业绩超预期的补充;
现金储备(10%):应对大厂扩产不及预期的调整需求。
第一阶梯(11 月底前):投入 8 万元建仓长电科技(占比 16%),设置 10% 止损线;
第二阶梯(若中芯国际 2025Q4 财报显示存储器代工营收增长超 50%):追加 8 万元,总仓位提升至 32%,止损线调整至 12%;
第三阶梯(若 HBM 价格 2026 年 1 月同比涨幅超 100%):再追加 8 万元,总仓位不超过 48%,剩余资金配置货币基金。
1200 万元(40%):大族激光(与自身设备业务互补,共享台积电客户资源);
900 万元(30%):中芯国际(存储器代工龙头,可拓展设备采购合作);
600 万元(20%):黄金 ETF(对冲周期下行风险);
300 万元(10%):现金(用于设备订单的应急支出)。
清单生成:通过四维指标筛选出 3-5 只标的,建立 “核心池”(长电科技、江丰电子)与 “观察池”(南大光电、深南电路);
尽职调查:查询标的的大厂认证公告(交易所互动平台)、产能爬坡数据(公司财报)、供应链合作证明(行业协会报告),排除 “认证未通过”“产能利用率低于 70%” 标的;
仓位预设:根据风险偏好设定仓位比例,散户核心池标的不超过总资金 30%,私募不超过组合 50%。
数据监测:每月跟踪三个关键数据:大厂存储器代工营收增速(需≥30%)、标的长期协议新增金额(每月≥1 亿元)、存储器价格涨幅(HBM≥10%/ 月);
信号应对:若某标的连续两个月未达标,减持 50% 仓位;若台积电、中芯国际出现产能利用率下滑(低于 85%),立即清仓沾边层标的;
情绪管理:当板块换手率单日超 25%,且游资席位净买入占比超 60%,减持卫星池标的。
离场信号:出现任一信号即启动离场:存储器价格同比涨幅收窄至 10% 以下、标的 PE 分位值突破 90%、大厂资本支出同比下滑;
分批撤退:先减持沾边层标的(100% 清仓),再减持受益层(保留 50%),最后根据核心层业绩决定是否保留(营收增速≥20% 则保留 30%);
资金再配置:离场资金优先转向存储器下游应用标的,如 AI 服务器、汽车电子企业。
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