吴老师股票合作：半导体赛道策略报告 —— 中芯修复周期下的存储结构性机遇

位元出货增长乏力：资本支出收缩直接制约位元出货扩张，2025 年三季度全球 NAND 位元出货量同比仅增长 8%，较 2024 年同期的 18% 大幅回落；DRAM 位元出货量同比增长 6%，创三年来最低增速。吴老师团队分析，存储原厂的产能管控政策将持续至 2026 年上半年，期间位元出货增速难以突破 10%，远低于 2019-2021 年平均 25% 的增速水平。

价格与出货分化显著：尽管位元出货受限，但 AI 服务器带来的高端存储需求支撑价格回暖，三季度 3D NAND 价格环比上涨 12%，DDR5 DRAM 价格环比上涨 8%。然而消费级存储产品需求疲软，256GB eMMC 价格仅环比上涨 3%，显示不同细分市场的景气度差异。阳光电源前三季度储能业务收入同比增长 105%，但存储芯片采购成本仅下降 5%，印证存储价格回暖趋势。

中芯链需求传导：中芯国际 28nm/14nm 制程产能利用率提升，直接拉动上游设备与材料需求，三季度国产刻蚀设备采购量同比增长 45%，光刻胶供应商营收同比增长 38%。吴老师测算，中芯国际每 10 亿元营收增长，将带动供应链配套企业合计 5 亿元营收增量。

存储结构性需求突围：AI 服务器对高容量、高速度存储产品的需求爆发，2025 年上半年全球 AI 服务器存储市场规模同比增长 120%，带动 3D NAND（1Tb 及以上）与 DDR5 DRAM 出货占比分别提升至 35%、28%。这类高端产品的毛利率较消费级产品高 15-20 个百分点，成为存储企业盈利修复的核心抓手。

技术替代加速落地：中芯国际 14nm 制程的国产替代率从 2024 年的 30% 升至 2025 年的 45%，存储领域长江存储 128 层 NAND 产品良率突破 90%，国产替代与技术迭代形成双重支撑，为板块提供持续的业绩增长动能。

中芯国际供给效率提升：通过产能结构调整，中芯国际将低毛利的 90nm 及以下制程产能占比从 2024 年的 35% 降至 2025 年三季度的 28%，高毛利的 28nm/14nm 制程占比提升至 42%。同时通过工艺改进，14nm 制程单位成本较去年下降 18%，进一步放大盈利弹性。