2025 年 6 月，中晶科技推出第三代半导体碳化硅单晶炉，实现两项关键技术突破：
多区温控技术：采用 “五区加热 + 智能温控算法”，将温度波动控制在 ±0.5℃，较国外同类产品（±1℃）精度提升 1 倍，显著提升碳化硅衬底质量；
高速生长技术：优化碳化硅晶体生长参数，使生长速率从行业平均 6mm/h 提升至 8mm/h，生产效率提升 33%，单位成本降低 25%；
该设备打破美国应用材料、德国 PVA TePla 的垄断，2025 年 Q3 实现量产，订单金额达 5.8 亿元，占设备业务营收比重 70%，预计 2026 年碳化硅设备营收将突破 15 亿元，同比增长 150%，成为设备业务的核心增长引擎。
2025 年 9 月，公司宣布在 18 英寸硅片领域取得关键技术突破，完成晶体生长与切割工艺验证，预计 2026 年 Q2 进入样品测试阶段，2027 年实现量产。18 英寸硅片是未来半导体硅材料的主流方向，当前全球仅日本信越、SUMCO 等少数企业能实现量产，中晶科技的技术突破将填补国内空白：
性能指标：18 英寸硅片直径 508mm，厚度 775μm，表面粗糙度低于 0.1nm，缺陷密度低于 0.1 个 /cm²，达到国际先进水平；
市场潜力：18 英寸硅片单价约 6000 元 / 片，是 12 英寸硅片的 3 倍，毛利率超 50%；预计 2027 年全球 18 英寸硅片市场规模达 50 亿美元，中晶科技若实现量产，有望占据 10% 的市场份额，年营收突破 20 亿元，打开长期成长空间。
为保障技术持续迭代，中晶科技 2025 年研发投入达 2.1 亿元，同比增长 40%，研发投入占比 8.7%，高于行业平均水平（8%）。公司中央研究院下设 12 个研发团队，聚焦硅材料、晶体生长设备、第三代半导体等领域，同时与浙江大学、中科院半导体研究所等高校院所建立长期合作，确保技术领先优势。预计 2026 年研发投入将突破 3 亿元，重点推进 18 英寸硅片、8 英寸碳化硅衬底等高端产品研发，为后续成长储备技术动能。
中晶科技的政策、订单、技术三重利好，为投资者提供了明确的成长逻辑，但如何精准把握利好节奏、规避潜在风险，需要专业的分析与跟踪。吴老师团队针对这三重利好，构建了 “利好跟踪 - 节奏把握 - 风险对冲” 的专属服务体系，帮助投资者最大化收益。
